基于SiC和GaN的电力电子技术将提高汽车半导体的效率和盈利能力

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  宽带半导体的复合年增长率将达到60%

  到2026年,宽带半导体的复合年增长率将达到60%;

  Strategy Analytics预测,随着HEV EV(混合动力电动汽车电动汽车)平台在全球汽车制造组合中占据更大比例,到2026年对电力电子元件的需求将占HEV EV动力总成半导体总需求的55%以上。

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  电动汽车的发展是推动宽带隙器件发展的核心推动力

  Strategy Analytics的动力总成车身底盘与安全(PBCS)服务报告“HEV-EV半导体技术展望:SiC和GaN发挥何种作用?”发现,提高系统效率的重点将决定采用更高价值的SiC和基于GaN的元件为汽车半导体行业创造了一个机会之窗,以获得更高的利润和更高的盈利能力。

  虽然宽带半导体的电力电子市场还处于早期阶段,但它为能够利用HEV EV行业不断增长的机会的公司提供了巨大的上行潜力。硅基IGBT,MOSFET和SBD将继续在电力电子领域占主导地位,但SiC和GaN开始在正确的道路上发展,并且在2026年将共同占据HEV EV汽车功率半导体市场近20%的份额。

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  SiC和GaN是推动电源器件发展的关键工艺

  “SiC是两种技术中比较成熟的,650V和1200V部件开始与主变频器的硅基元件竞争,并且在DC-DC转换器和OBC(车载充电器)中获得一些市场牵引力”, Strategy Analytics的全球汽车业务高级副总裁Chris Webber表示。 “但是,我们仍然担心材料供应限制的担保以及相关的成本和产量问题可能会减缓HEV EV市场中基于SiC的系统的实施。”

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  HEV EV汽车的发展为功率半导体带来机遇

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  宽带半导体器件的应用

  “效率是选择HEV EV平台未来功率半导体架构的关键,而SiC和GaN技术无疑具有显著的优势,”报告作者兼PBCS服务副总监Asif Anwar说。 “然而,Si技术仍然具有一些性能开销,可以用来改善开关损耗和效率,这可以与封装技术的进步相结合。我们相信能够提供全套技术的公司将能够充分利用这一不断增长的电力电子半导体的发展机会。“

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  HEV EV汽车的发展为功率半导体带来机遇

  该报告的结论是,宽带半导体的电力电子市场处于早期阶段,但为能够利用HEV EV领域不断增长的机会的公司提供了巨大的上行潜力。

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